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金屬化薄膜電容器不導電電阻差對電容的質量和其它電性能有什么影響

來源:本站 添加時間:2014年04月28日 瀏覽次數:3974
電容器的不導電電阻的大小等于加在電容器上的直流電壓與所產生的漏電流的比值,即
Ri=U/Iu
式中:R1——不導電電阻(MΩ);
U——加在電容器上的直流電壓(V);
Iu——漏電流(μA)。
電容器的不導電電阻與電容器的介質材料和面積,引線的材料和長短以及制造工藝等因素有關。不導電電阻越高,表明電容器的質量越高。對于同一種類的電容器來說,電容量越大,不導電電阻越小。通常電容器的不導電電阻在幾百兆歐到幾千兆歐之間。不導電電阻多用于表示0.1μF以下容量的云母、瓷介和玻璃釉電容器的質量。
電容器的頻率特性是指電容器電容量等參數隨頻率變化的關系。電容器在高頻下工作時,隨著工作頻率的升高,由于不導電介質介電系數減小,電容量將會減小,而損耗將增大,并且會影響電容器的分布參數。為了電容器的穩定性,一般應將電容的工作頻率選擇在電容器固有諧振頻率的1/3~1/2。
不同類型的電容器有著不同的頂端使用頻率。
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